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Boîtier
Configuration
Courant - Drain Continu (Id)
Puissance Max.
Technologies
Température
Tension Drain-Source (Vdss)
Tyoe de FET
Type de montage
Emballage
Fabricant
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
30V CANAL P MOSFET (Metal Oxide) 11.6A 2.5 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface 8-SOIC Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
40V 10A 2.5 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface 8-SOIC Bande et Bobine Infineon Technologies-International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
30V 17.2A 2.5 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface 8-SOIC Bande Coupée Infineon Technologies-International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
500V Canal N MOSFET (Metal Oxide) 4.5A (Tc) 74W (Tc) -55°C à +150°C À Trou Traversant TO-220AB Tube Vishay Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Configuration Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
30V Niveau logique Gate MOSFET (Metal Oxide) Canal 2N 9.7A 2 Watt -55°C à +175°C Montage en Surface 8-SOIC Bande Coupée Infineon Technologies-International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
500V 8A 125 Watt -55°C à +150°C À Trou Traversant TO-220AB Tube Vishay Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
55V CANAL P MOSFET (Metal Oxide) 12A 45 Watt -55°C à +175°C À Trou Traversant TO-220AB Tube International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
60V CANAL P MOSFET (Metal Oxide) 1.6A (Ta) 1.3 Watt (Ta) -55°C à +175°C À Trou Traversant 4-DIP Tube Vishay Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
200V 3.6A 2.5 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface DPAK Tube Vishay Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
200V 3.6A 2.5 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface DPAK Bande et Bobine Vishay Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
55V 49A 94 Watt -55°C à +175°C À Trou Traversant TO-220-3 Tube International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
55V 64A 130 Watt -55°C à +175°C À Trou Traversant TO-220-3 Tube International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
60V 2.7A (Ta) 1.25 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Infineon Technologies-International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
20V 3.7A -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine Infineon Technologies-International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
30V 1.7A (Ta) 500mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine onsemi Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
60V 280mA 300mWatt -65°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine onsemi Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
20V 1A 400mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-5 Bande et Bobine onsemi Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
20V 2.8A 900mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
20V 4.7A 1.1 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
30V 1.9A 950mW -55°C à +150°C Montage en Surface SC-70-6 (SOT-363) Bande et Bobine Vishay Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
30V CANAL P MOSFET (Metal Oxide) 2.7A (Ta) 2.78 Watt (Tc) -55°C à +150°C Montage en Surface 6-TSSOP Bande et Bobine Vishay Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
60V Canal N MOSFET (Metal Oxide) 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Vishay Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
30V 5.5A (Ta) 1.3 Watt (Ta) -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Vishay Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
30V 6A 2.5 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine Vishay Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
60V 6.5A 3.7 Watt -55°C à +175°C Montage en Surface 8-SOIC Bande et Bobine Vishay Fiche Technique Cliquez pour Voir