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Boîtier
Courant - Collecteur (Ic) Max
Fréquence - Transition
Puissance Max.
Température
Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max)
Type de Transistor
Type de montage
Emballage
Fabricant
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 800mA 40V 500mWatt 300MHz -65°C à +200°C À Trou Traversant TO-18 (Sac) En Vrac Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
PNP 600mA 60V 400mWatt 200MHz -65°C à +200°C À Trou Traversant TO-18 (Sac) En Vrac Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 200mA 40V 625mWatt -55°C à +150°C À Trou Traversant TO-92 (Sac) En Vrac Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 200mA 40V 625mWatt -55°C à +150°C À Trou Traversant TO-92 (Sac) En Vrac ON Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
PNP 200mA 40V 625mWatt -55°C à +150°C À Trou Traversant TO-92 (Sac) En Vrac Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 1AMP 40V 350mWatt 300MHz -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 13" Bande et Bobine Fairchild Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 600mA 40V 310mWatt 300MHz -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine Diodes Incorporated Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 600mA 40V 225mWatt 300MHz -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 600mA 40V 225mWatt 300MHz -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine ON Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 600mA 40V 150mw 300MHz -55°C à +150°C Montage en Surface SC-70 Bande et Bobine ON Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
PNP 600mA 60V 225mWatt 200MHz -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 600mA 40V 200mWatt 250MHz -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-363 Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
PNP 600mA 40V 200mWatt 200MHz -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-363 Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 500mA 80V 625mWatt 100MHz -55°C à +150°C À Trou Traversant TO-92 (Sac) En Vrac Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 600mA 40V 250mWatt 300MHz -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine NXP USA INC. Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
PNP 600mA 60V 250mWatt 200MHz -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine NXP USA INC. Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 1AMP 40V 625mWatt 300MHz -55°C à +150°C À Trou Traversant TO-92 (Sac) En Vrac ON Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Collecteur (Ic) Max Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 600mA 60V 625mWatt 200MHz -55°C à +150°C À Trou Traversant TO-92 (Sac) En Vrac Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
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