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Nombre de Canaux Tension - Isolement Taux de Transfert du Courant (Min) Temps d'Activation - de Désactivation (Typ) Type d'Entrée Type de Sortie Tension - Sortie Courant - Sortie / Canal Tension Directe (Vf) Vce Saturation Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
1 3750Vrms 100% @ 5mA 3µs, 3µs DC Transistor 80V 50mA 1.25V 300mV -55°C à +110°C Montage en Surface 6-SOIC Bande et Bobine Toshiba Fiche Technique Cliquez pour Voir
Nombre de Canaux Tension - Isolement Temps d'Activation - de Désactivation (Typ) Type d'Entrée Type de Sortie Tension - Sortie Courant - Sortie / Canal Tension Directe (Vf) Vce Saturation Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
1 3750Vrms 3µs, 3µs DC Transistor 80V 50mA 1.25V 300mV -55°C à +125°C Montage en Surface 4-SO Bande et Bobine Toshiba Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Sortie Tension - Isolement Tension - Sortie Courant - Sortie / Canal Nombre de Circuits Tension - Directe (Vf) (Max) @ If Puissance Max Vce Saturation Température Type de montage Boîtier Emballage Note Fabricant Spécifications Alternatifs
Phototransistor 5000Vrms 55V 50mA 4 1.15V 150mWatt 400mV -55°C à +100°C À Trou Traversant 16-DIP Tube NRND Toshiba Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Courant - Sortie / Canal Alimentation en Tension Puissance Max Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
8 NPN Darlington 500mA 50V 1.47Watt À Trou Traversant 18-DIP Tube Toshiba Fiche Technique Cliquez pour Voir