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MEI Semiconductor

Tension - Zener (Nom) (Vz) Puissance Tolérance Courant - de Fuite, Inverse @ Vr Tension de Test Boîtier Température Type de montage Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
4.3V 500 mWatt ±5% 4uA 2V DO-35 -65°C à +175°C À Trou Traversant Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
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4.7V 500 mWatt ±5% 10uA 3V DO-35 -65°C à +175°C À Trou Traversant Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
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5.1V 500 mWatt ±5% 10uA 3V DO-35 -65°C à +175°C À Trou Traversant Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
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5.6V 500 mWatt ±5% 10uA 4V DO-35 -65°C à +175°C À Trou Traversant Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
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6.2V 500 mWatt ±5% 10uA 5V DO-35 -65°C à +175°C À Trou Traversant Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
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6.8V 500 mWatt ±5% 10uA 5.1V DO-35 -65°C à +175°C À Trou Traversant Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
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7.5V 500 mWatt ±5% 10uA 5.7V DO-35 -65°C à +175°C À Trou Traversant Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
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8.2V 500 mWatt ±5% 1uA 6.2V DO-35 -65°C à +175°C À Trou Traversant Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
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8.7V 500 mWatt ±5% 1uA 6.6V DO-35 -65°C à +175°C À Trou Traversant Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
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12V 500 mWatt ±5% 0.05uA 9.1V DO-35 -65°C à +175°C À Trou Traversant Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
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13V 500 mWatt ±5% 0.05uA 9.8V DO-35 -65°C à +175°C À Trou Traversant Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
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20V 500 mWatt ±5% 0.01uA 15.2V DO-35 -65°C à +175°C À Trou Traversant Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
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22V 500 mWatt ±5% 0.01uA 16.7V DO-35 -65°C à +175°C À Trou Traversant Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
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24V 500 mWatt ±5% 0.01uA 18.2V DO-35 -65°C à +175°C À Trou Traversant Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
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25V 500 mWatt ±5% 0.01uA 19V DO-35 -65°C à +175°C À Trou Traversant Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir
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27V 500 mWatt ±5% 0.01uA 20.4V DO-35 -65°C à +175°C À Trou Traversant Bande et Bobine Mei Semiconductor Fiche Technique Cliquez pour Voir