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Infineon Technologies

Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
60V Canal N MOSFET (Metal Oxide) 300mA (Ta) 500mWatt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Infineon Technologies-International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Transistor Tension - Collecteur-Émetteur Disruptif (Max) Puissance Max. Fréquence - Transition Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
NPN 12V 175mW 8GHz 150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Infineon Technologies-International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Type de Communtateur Nombres de Sorties Rapport - Entrée:Sortie Configuration de Sortie Type de Sortie Interface Mémoire Tension - Charge Tension - Alimentation (Vcc/Vdd) Courant - Sortie / Canal Type d'Entrée Caractéristiques Protection Contre les Défaillances Température Type de montage Emballage Boîtier Fabricant Spécifications Alternatifs
Usage Général 1 1:1 Haut Potentiel Canal N Marche/Arrêt 12V - 45V Non Requis 1.4V Sans Inversion Réinitialisation Auto Limitation de courant (fixe), surchauffe, surtension -40°C à +125°C Montage en Surface Bande et Bobine SOT-223 Infineon Technologies-International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
40V 10A 2.5 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface 8-SOIC Bande et Bobine Infineon Technologies-International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
30V 17.2A 2.5 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface 8-SOIC Bande Coupée Infineon Technologies-International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Tyoe de FET Technologies Configuration Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
30V Niveau logique Gate MOSFET (Metal Oxide) Canal 2N 9.7A 2 Watt -55°C à +175°C Montage en Surface 8-SOIC Bande Coupée Infineon Technologies-International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Puissance Max. Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
60V 2.7A (Ta) 1.25 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Infineon Technologies-International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
20V 3.7A -55°C à +150°C Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine Infineon Technologies-International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir
Configuration de Sortie Tension - Sortie Courant - Sortie / Canal Chute de Tension (max) Nombre de Régulateurs Température Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications Alternatifs
Positif Fixe 3.3V 400mA 0.5V @ 250mA 1 -40°C à +150°C Montage en Surface SOT-223 Bande et Bobine Infineon Technologies-International Rectifier Fiche Technique Cliquez pour Voir